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P: Plasmaphysik

P 24: Entladungen (Poster)

P 24.6: Poster

Montag, 9. März 1998, 18:00–20:00, P 2

Dynamik von Voids in staubigen Silan–Entladungen — •A. Melzer, A. Homann und A. Piel — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Christian-Albrechts-Universität, 24098 Kiel

Hochfrequenzentladungen in Silan (SiH₄) sind von großem Interesse beim Ätzen von Halbleitern und der Abscheidung von Silizium-Schichten. Polymerisation des Silans und anschließendes weiteres Wachstum kann in diesen Entladungen zur Bildung von Partikeln von 10 nm bis etwa 200 nm Größe führen, die sich in der Entladung sammeln. Die Staubpartikel füllen dabei fast das gesamte Plasmavolumen aus, es entstehen aber auch ausgedehnte staubfreie Bereiche, die sog. „Voids“. Das Verhalten dieser Voids läßt sich mit Hilfe von Lichtstreumethoden beobachten. Man findet, daß sich die Ausdehnung der Voids unter bestimmten Entladungsbedingungen periodisch ändert. Die Dynamik der Voids und der umgebenden Staubpartikel wird mit Hilfe von Mie–Streuung untersucht. Erste analytische Modelle zur Erklärung dieser Voidinstabilität werden vorgestellt.