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T: Teilchenphysik
T 111: Halbleiterdetektoren I
T 111.3: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 17:00–17:15, HS K
Aufbau einer Preshape-Auslese für einen GaAs-Streifendetektor zum Nachweis von hochenergetischen Photonen — •A. Siemes, J. Breibach, D. Gräßel, W. Karpinski, St. König, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, Th. Mäsing, C. Rente, Ch. Röper, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao — I. Physikalisches Institut der RWTH-Aachen, Sommerfeldstrasse 14, 52074 Aachen
Auf Grund einer hohen Energieauflösung und guten Nachweiswahrscheinlichkeit für γ-Quanten in GaAs, können SI-GaAs Detektoren für die zerstörungsfreie Materialprüfung und medizinische Diagnostik verwendet werden. Zur Untersuchung der Energie-
und Ortsauflösung wurde eine Preshape-Auslese für GaAs-Streifendetektoren (250µm pitch, 200µm Metallisierung, 250µm Dicke, 15mm Länge) mit interierten Cermetwiderständen und Kapazitäten entwickelt. Mit 122keV γ-Quanten einer Co5
7-Quelle, die sowohl längs als auch quer zu den Streifen eingestrahlt werden können, wurden wichtige Detektorkenngrößen wie Ladungsausbeute, Signal-zu-Rausch Verhältnis und Nachweiswahrscheinlichkeit für die gewählte Geometrie untersucht.