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T: Teilchenphysik
T 211: Halbleiterdetektoren II
T 211.6: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 09:55–10:10, HS K
Pixeldetektor - Auslese in in Honeywell RICMOS4 Technologie — • W. Karpinski, J. Breibach, K. Lübelsmeyer und G. Pierschel — I.Physikalisches Institut der RWTH-Aachen, Sommerfeldstrasse 14, 52074 Aachen
Es werden Untersuchungen bezüglich der Einsatzfähigkeit der Honeywell
SOI CMOS Technologie für eine Pixel-Ausleseelektronik vorgestellt. Dabei
werden Messungen der DC-, AC- und Rauschparameter der in im RICMOS4 Prozeß
hergestellten Transistoren vor und nach Bestrahlung mit 60Co bis zu
einer Dosis von 55Mrad vorgestellt. Die komplette Auslese für einen
Pixel-Detektor mit 22x32 Pixeln wurde in dieser Technologie implementiert.
Diese Schaltung ist eine modifizierte Version des PS131 Chips (R. Horisberger,
PSI Villigen), der in DMILL Technologie hergestellt worden ist.
Die Schaltungsarchitektur sowie ein Vergleich der beiden Technologien im
Hinblick auf die Anwendung für die Pixel-Ausleseelektronik werden diskutiert.