Freiburg 1998 – scientific programme
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T: Teilchenphysik
T 311: Vertexdetektoren I
T 311.3: Talk
Tuesday, March 24, 1998, 17:00–17:15, HS K
Silizium-Karbid-Teilchendetektoren für Hochenergieexperimente — •Ana Söldner-Rembold, R. Geppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, M. Rogalla und K. Runge — Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, 79104 Freiburg i.Br.
Die Silizium-Karbid-Technologie (SiC) hat in den vergangenen 5 bis 7 Jahren große Fortschritte gemacht. Die kommerzielle Verfügbarkeit von relativ großen SiC-Wafern hoher Qualität ermöglicht den Einsatz als Substratmaterial für Teilchendetektoren. Die Eignung begründet sich vor allen durch die hohe Durchbruchfeldstärke (4· 106 V/cm), die hohe Sättigungsdriftgeschwindigkeit (2· 107 cm/s) der Ladungsträger und die hohe thermische Leitfähigkeit (4.9 W/cmK) dieses Materials. Aufgrund geringen Z (14/6) und hoher Bindungsenergie ist zusätzlich eine große Strahlungshärte zu erwarten. Erste Ergebnisse mit 300 µm dicken Photoleitfahigkeitsdetektoren ergaben für minimal ionisierende Teilchen eine Signalhöhe von 1400 Elektronen.