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T: Teilchenphysik

T 511: Halbleiterdetektoren IV

T 511.3: Talk

Wednesday, March 25, 1998, 17:00–17:15, HS K

Simulation der Ladungssammlung in Halbleiterdetektoren — •D. Gräßel, J. Breibach, W. Karpinski, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, Th. Mäsing, C. Rente, Ch. Röper, A. Siemes, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao — I.Physikalisches Institut der RWTH-Aachen, Sommerfeldstrasse 14, 52074 Aachen

Unter Einsatz des Programmpaketes ToSCA wurden Simulationsrechnungen zur Ladungssammlung in Silizium- und Gallium-Arsenid-Detek-toren mit verschiedenen Geometrien durchgeführt. Zur Simulation von GaAs wurde ToSCA entsprechend modifiziert und getestet. Insbesondere wurde der Einfluß einer reduzierten Lebensdauer der Ladungsträger durch tiefe Störstellen unter Berücksichtigung der Feldverteilung im Detektor untersucht. Das zugrundeliegende Modell beruht auf der Lösung der Poisson-Gleichung sowie der Kontinuitätsgleichungen für Elektronen und Löcher unter vorgegebenen Randbedingungen. Außerdem gehen Generation und Rekombination von Ladungsträgern nach dem Modell von Shockley Read und Hall in die Rechnungen ein.