Konstanz 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

Q: Quantenoptik

Q 35: Poster IIg: Nichtlineare Optik

Q 35.8: Poster

Mittwoch, 18. März 1998, 16:00–18:00, PF

Oberflächenemittierende Frequenzverdopplung in Vielschichtwellenleitern — •C. Degen¹, G. Jennemann¹, W. Elsäßer¹, S. Leu² und W. Stolz² — ¹Institut für Angewandte Physik, Technische Universität Darmstadt, Schloßgartenstraße 7, 64289 Darmstadt — ²WZMW, Philipps-Universität Marburg, 35032 Marburg

Oberflächenemittierende Frequenzverdopplung (SESHG) in Halbleiter-Wellenleitern bietet ein großes Potential an photonischen Anwendungen, welches bislang vor allem durch die niedrige Konversionseffizienz beschränkt war. Durch Realisierung der SESHG in strukturoptimierten Vielschichtwellenleitern, die mittels MOVPE aus GaAs/Al_xGa_1−xAs gefertigt wurden, konnte eine erhebliche Effizienzsteigerung erreicht werden. Für Fundamentalwellen mit λ^(ω)=1060nm wurde der Wirkungsgrad um mehrere Größenordnungen gegenüber bisher erzielten Werten erhöht. Für λ^(ω)=1550nm wurde SESHG erstmalig demonstriert. Der hierbei ermittelte Wirkungsgrad stimmt mit dem für λ^(ω)=1060nm überein. Die gesteigerte Effizienz ermöglichte detailierte Nah- und Fernfelduntersuchungen der SESHG sowie die Realisierung eines miniaturisierbaren Spektrometers unter Ausnutzung oberflächenemittierender Summenfrequenzbildung.