Konstanz 1998 – wissenschaftliches Programm

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Q: Quantenoptik

Q 49: Halbleiterlaser

Q 49.3: Vortrag

Donnerstag, 19. März 1998, 14:45–15:00, P 602

Polarisationseigenschaften und Quantenrauschen von VCSEL-Strukturen — •J.-L. Vey, C. Degen, K. Auen und W. Elsäßer — Institut für Angewandte Physik, Technische Universität Darmstadt, Schloßgartenstrasse 7, D-64289 Darmstadt

Die Polarisationeigenschaften oberflächenemittierender Laserdioden
(VCSEL) haben großen Einfluß auf deren Quantenrauscheigenschaften. Der zirkularsymmetrische Resonatoraufbau dieser Laser bewirkt, daß VCSEL Moden unterschiedlicher Polarisation emittieren, die in der Frequenz um mehrere GHz auseinander liegen. Ein von uns entwickeltes semiklassisches Lasermodell sagt einen direkten Zusammenhang zwischen dem Polarisationsverhalten der VCSEL und ihrem Amplitudenrauschen voraus. Die Struktur der Polarisationsmoden kann durch spektral aufgelöste ellipsometrische Untersuchungen bestimmt werden. Aus den Ergebnissen der numerischen Simulationen resultieren Vorschläge für optimierte VCSEL-Strukturen mit reduziertem Quantenrauschen, einschließlich der Erzeugung von Sub-Schrotrausch-Licht.