Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DF: Dielektrische Festkörper
DF 2: Elektrische und optische Eigenschaften I
DF 2.2: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 15:20–15:40, H11
Untersuchung der Form von Ladungsgittern in photorefraktiven Kristallen mit dem Rasterkraftmikroskop — •E. Soergel and W. Krieger — Max-Planck-Institut f"ur Quantenoptik, Hans-Kopfermann Strasse 1, D-85748 Garching
Die Messung elektrostatischer Kr"afte mit dem Rasterkraftmikroskop erlaubt es, Ladungsverteilungen auf nichtleitenden Oberfl"achen mit hoher r"aumlicher Aufl"osung abzubilden. So k"onnen lichtinduzierte Ladungsgitter in photorefraktiven Kristallen detektiert werden. Insbesondere erm"oglicht diese Methode eine direkte Bestimmung der Gitterform.
Wir untersuchen mit dem Kraftmikroskop Ladungsgitter in Bi12SiO20, die mit Laserlicht bei 514 nm erzeugt werden. Drei verschiedene Experimente sind m"oglich. Zum einen k"onnen gespeicherte Gitter abgetastet werden (Schreiblaser aus). Des weiteren k"onnen die Gitter im Gleichgewichtszustand beobachtet werden (Schreiblaser an). Drittens kann man mit der ruhenden Spitze des Kraftmikroskops bewegte Ladungsgitter detektieren. Wir benutzen diese Methoden um die Abh"angigkeit der Gitterform vom Modulationsindex sowie ihre zeitliche Entwicklung zu untersuchen.