Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung

DS 24.10: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–19:00, PF A

Allotaxie im System Ni-Si auf Si(100) — •Steffen Teichert, Gunter Beddies, Meiken Falke, Henning Giesler und Hans-Jürgen Hinneberg — Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz

Das von Mantl und Bay [1] vorgeschlagene Verfahren der Allotaxie wird auf das System Ni-Si angewendet. Die Präparation erfolgt in einer UHV-Kammer mittels Elektronenstrahlverdampfung von Ni und Si unter Variation der maximalen Ni-Konzentration sowie der Substrattemperatur. Zusätzlich wird die Zeit und die maximale Temperatur der anschließenden Temperung (RTA) variiert. Die Proben werden mit Rutherfordrückstreuung (RBS) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Ergänzende Informationen liefern laterale Messungen des elektrischen Widerstandes. Die Resultate werden im Zusammenhang mit bekannten Ergebnissen der Ionenimplantation von Ni in Si und der Allotaxie im System Co-Si diskutiert. Die Möglichkeiten der Allotaxie im System Ni-Si zur Erzeugung von vergrabenen Nickeldisilicidschichten werden gewertet.

[1] S. Mantl, H. Bay; Appl. Phys. Lett. 61 (1992) p. 267.