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Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

Mo, 09:30–10:45 H 31 DS 1: Ionenimplantation I
Mo, 11:00–12:00 H 31 DS 2: Ionenimplantation II
Mo, 14:00–15:00 H 31 DS 3: Harte Schichten I
Mo, 15:15–16:15 H 31 DS 4: Harte Schichten II
Mo, 16:30–17:30 H 31 DS 5: Ionenimplantation III
Di, 09:30–11:00 H 31 DS 6: Dünne Schichten für Sensorik und Aktuatorik I
Di, 11:15–12:15 H 31 DS 7: Optische Eigenschaften I
Di, 14:00–15:30 H 31 DS 8: Dünne Schichten für Sensorik und Aktuatorik II
Di, 15:45–16:30 H 31 DS 9: Optische Eigenschaften II
Di, 16:45–17:30 H 31 DS 10: Charakterisierungsverfahren I
Di, 17:45–18:30 H 31 DS 11: Charakterisierungsverfahren II
Di, 11:15–12:15 H 34 DS 12: Plasma- und Ionentechniken
Di, 15:45–16:30 H 34 DS 13: Sonstiges
Di, 16:45–18:00 H 34 DS 14: Magnetische Schichten
Di, 18:15–19:00 H 34 DS 15: Organische Schichten
Do, 09:30–10:15 H 31 DS 16: Multilayer I
Do, 10:15–10:45 H 31 DS 17: Multilayer II
Do, 11:00–12:30 H 31 DS 18: Metallische Schichten I
Do, 14:00–15:00 H 31 DS 19: Metallische Schichten II
Do, 15:15–16:30 H 31 DS 20: Elektrische Eigenschaften
Fr, 09:30–10:15 H 31 DS 21: Laserverfahren I
Fr, 10:15–11:00 H 31 DS 22: Laserverfahren II
Fr, 11:15–12:00 H 31 DS 23: Laserverfahren III
Do, 15:00–19:00 PF A DS 24: Postersitzung
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