Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 18: Metallische Schichten I

Donnerstag, 26. März 1998, 11:00–12:30, H 31

	11:00	DS 18.1	Hauptvortrag: Wachstum, Oberflächenrauhigkeit und mechanische Spannungen amorpher metallischer Aufdampfschichten — •M. Moske, B. Reinker, S. Mayr und K. Samwer
	11:45	DS 18.2	Hauptvortrag: Si1−x−yGexCy-Schichten: Herstellung und Eigenschaften eines neuen Halbleitermaterials — •H. Jörg Osten