Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 18: Metallische Schichten I
DS 18.2: Hauptvortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 11:45–12:30, H 31
Si1−x−yGexCy-Schichten: Herstellung und Eigenschaften eines
neuen Halbleitermaterials — •H. Jörg Osten — Institut für Halbleiterphysik, W.-Korsing-Str. 2, 15230 Frankfurt(Oder)
Pseudomorph verspannte Si1−xGex -Schichten auf Si(001) finden ihre ersten Anwendungen in mikroelektronischen Bauelementen. Aufgrund der unterschiedlichen Gittergrößen ist die Herstellung derartiger Schichten nur bis zu einer kritischen Schichtdicke möglich. Die Zugabe des kleineren, isoelektronischen Kohlenstoffs hebt diese Beschränkung auf. Im ternären Si1−x−yGexCy System wird somit ein neuer Freiheitsgrad in der Einstellung von Schichtspannung und Bandstruktur erreicht. Stabile Schichten mit C-Konzentrationen im Prozentbereich können stabil hergestellt werden. Wesentlich ist das Verhältnis von substitutional zu interstitial eingebauten Kohlenstoffatomen, da nur C-Atome auf Gitterplätzen die Schichtspannung beeinflussen und Zwischengitterkohlenstoff die elektrische und optische Schichteigenschaften negativ beeinflussen kann.
Im Vortrag wird der aktuelle Kenntnisstand zu diesen Schichten zusammengefaßt. Es werden die Wachstumsprozesses, die zu C-Konzentrationen im Prozentbereich sowie zu hohen C-Anteil auf Gitterplätzen führen können, diskutiert. Verschiedene mechanische und elektrische Materialeigenschaften werden in Abhängigkeit vom Kohlenstoffgehalt vorgestellt und mögliche Anwendungen dieses neuen Materials werden diskutiert.