Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 5: Ionenimplantation III
Montag, 23. März 1998, 16:30–17:30, H 31
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16:30 | DS 5.1 | Fachvortrag: Synthese von Siliziumkarbid durch Ionenmischen von Si-C Vielfachschichten — •F. Harbsmeier, M. Borowski und W. Bolse |
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16:45 | DS 5.2 | Fachvortrag: Mo - induzierte Änderung der Kristallisation von amorphem Silizium — •S. Thoma, J.K.N. Lindner und B. Stritzker |
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17:00 | DS 5.3 | Fachvortrag: Thermisch induzierte epitaktische Rekristallisation von Ionen-implantiertem α-Quarz — •F. Roccaforte, W. Bolse und K.P. Lieb |
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17:15 | DS 5.4 | Fachvortrag: Ion Implantation in TiO2: Effect of the Oxidation State on the Lattice Site Occupation — •R. Fromknecht, O. Meyer, I. Khubeis, and S. Massing |