Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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DY: Dynamik und Statistische Physik

DY 46: POSTER II

DY 46.11: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 14:30–17:30, B

DLA-Modelle zur Beschreibung des Porenwachstums in Silizium – Stabilitätsbetrachtungen — •M. Rauscher und H. Spohn — Sektion Physik, Ludwig-Maximilians-Universität München, Theresienstr. 37, 80333 München

Viele Wachstumsphänomene wie dentritisches Wachstum, Viscous Fingering und Dielectric Breakdown lassen sich durch diffusionslimitierte Aggregation (DLA) beschreiben. Durch Variationen dieses Modells, z.B. durch veränderte Randbedingungen versuchen wir, charakteristische Eigenschaften des Porenwachstums in Silizium beim Anodisieren in Flußsäure, insbesondere den Porenabstand und den Übergang vom Elektropolieren zur Porenbildung, zu beschreiben.

Beim elektrochemischen Ätzen von Silizium (und anderen Halbleitern) in Flußsäure ist die lokale Wachstumsgeschwindigkeit der Grenzfläche zwischen Halbleiter und Elektrolyt proportional zur lokalen Stromdichte. Wir modellieren den Transport der Ladungsträger im Halbleiter und in Elektrolyt durch Diffusion. Die lineare Stabilitätsanalyse der glatten planaren Grenzfläche gibt Aufschluß über die Wachstumsgeschwindigkeit von Strukturen auf verschiedenen Längenskalen.