Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Si/Ge
HL 10.10: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 18:15–18:30, H13
Untersuchung der plastischen Relaxation in Si1−xGex/Si Heterostrukturen — •S. Wickenhäuser, L. Vescan, K. Schmidt, B. Holländer und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
Relaxierte Si1−xGex Pufferschichten werden immer häufiger als virtuelle Substrate für verspannte Silizium Schichten genutzt. Unterhalb einer bestimmten Verspannung relaxieren Si1−xGex Schichten plastisch, d.h. durch die Bildung von Misfit Versetzungen. Dabei werden Fadenversetzungen in die Si1−xGex Schicht induziert, die für die spätere Anwendung störend sind. Um diese Fadenversetzungen in den relaxierten Pufferschichten zu vermeiden, ist es wichtig den Relaxationsmechanismus genau zu untersuchen.
Si1−xGex/Si Heterostrukturen mit verschiedenen lateralen Abmessungen und verschiedenen Schichtdicken wurden mittels selektiver LPCVD bei einer Temperatur von 700∘C hergestellt. Man erreicht so für jede Probenabmessung und Schichtdicke einen unterschiedlichen Relaxationsgrad und die einzelnen Stadien der Relaxation, wie Nukleation, Bewegung und Multiplikation können einzeln betrachtet werden. Charakterisiert wurden die Schichten mit PL, TEM, optischem Mikroskop und RBS.