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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Si/Ge

HL 10.12: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 18:45–19:00, H13

Einfluß von Sauerstoff auf den Gitterplatz und das Lumineszenzverhalten von seltenen Erden in Silizium — •M. Dalmer¹, U. Vetter¹, M. Restle¹, C. Ronning¹, A. Stötzler¹, U. Wahl² und H. Hofsäss¹ — ¹Fakultät für Physik, Universität Konstanz — ²IKS, Katholische Universität Leuven, B-3001 Leuven, Belgien

Die 1.54 µm Lumineszenz von Erbium in Silizium wird durch die Anwesenheit von Sauerstoff deutlich intensiver. Eine mögliche Ursache für dieses Verhaltens ist die Bildung von Er-O Defektkomplexen. Über die Gitterplatzbestimmung von Fremdatomen der seltenen Erden in Si wurde untersucht, wie eine nachträgliche Implantation von Sauerstoff den Einbauplatz dieser Fremdatome beeinflußt. Es wurde radioaktives ¹⁶⁷Tm und ¹⁶⁹Yb mit 60 keV implantiert und die Gitterplatzverteilung mit Hilfe der Emissionschanneling-Methode untersucht. Ohne O wird nach Ausheilen bei 800 ^∘C eine hoher Anteil auf interstitiellen Tetraederplätzen beobachtet. O-Implantation nach dem Ausheilen mit 4x10¹⁴ cm⁻² reduziert die beobachteten Effekthöhen. Diese wird mit der Bildung von Tm-O Defektkomplexen, bei denen die Tm - Fremdatome keine eindeutige Gitterposition mehr einnehmen, erklärt. Mit PL wurde die 4f-Lumineszenz der Tochterisotope ¹⁶⁹Tm und ¹⁶⁷Er in diesen Proben untersucht.