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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Si/Ge
HL 10.14: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 19:15–19:30, H13
Surfactant modifizierte Heteroepitaxy von Germanium auf
Silizium: Elektrische Charakterisierung — •M. Kammler1, D. Reinking1, K.R. Hofmann1 und M. Horn-von Hoegen2 — 1Inst. für Halbleitertechnologie, Universität Hannover — 2Inst. für Festkörperphysik, Universität Hannover
Die Surfactant modifizierte Epitaxy (SME) erlaubt das Wachstum von quasi defektfreien relaxierten Ge-Filmen auf Si(111). Die 4 % Gitterfehlanpassung erfolgt durch ein in der Grenzfläche liegendes periodisches Versetzungsnetzwerk. In der Vergangenheit haben wir demonstriert, daß mit zunehmender Wachstumstemperatur die Dotierung des Ge-Films duch den Surfactant (hier Sb) um bis zu drei Größenordnungen sinkt. Hall Messungen an diesen Ge-Filmen zeigen Elektron Beweglichkeiten von bis zu 3100 cm2/Vs bei RT und 12300 cm2/Vs bei 77 K.
Neben neuen Ergebnissen aus elektrischen Messungen an den Ge-Filmen werden Untersuchungen zum Surfactant modifizierten Wachstum von Silizium auf den mittels SME gewachsenen Ge-Filmen vorgestellt und erste Bauelementeanwendungen basierend auf den Si/Ge/Si(111) Schichten diskutiert.