Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 10: Si/Ge
HL 10.2: Vortrag
Montag, 23. März 1998, 16:15–16:30, H13
Messung und Modellierung der spektralen Empfindlichkeit von Si-Photodioden im Spektralbereich von 120 nm bis 400 nm — •Peter Kuschnerus1, Hans Rabus2 und Mathias Richter2 — 1BESSY GmbH, Lentzeallee 100, 14195 Berlin — 2Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Abbestr. 2-12, 10587 Berlin
Die spektrale Empfindlichkeit von verschiedenen Silizium-Photodioden wurde absolut bestimmt durch Vergleich mit einem primären Empfängernormal und unter Verwendung von Synchrotronstrahlung des Berliner Elektronenspeicherringes BESSY. Darüber hinaus wurde das Reflexionsvermögen der Dioden gemessen und durch Anpassung der Daten mit Hilfe der Fresnelgleichungen die optischen Konstanten der Deckschichten (Quarz, PtSi) ermittelt. Damit ließ sich die mittlere Ladungsträger-Erzeugungsenergie von Silizium bestimmen und die spektrale Empfindlichkeit der Dioden modellieren. Die untersuchten Photodioden kommen im Fachlaboratorium "UV- und VUV-Radiometrie"der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt als Transferempfängernormale zum Einsatz.