Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: GaN I
HL 16.4: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 11:15–11:30, H15
"Uber die Natur der gelben Lumineszenz: Vergleichende ortsaufgel"oste Kathodolumineszenzmessungen an selbstorganisierten GaN-Pyramiden und planaren GaN-Epischichten — •D. Rudloff1, F. Bertram1, T. Riemann1, M. Schmidt1, J. Christen1, L. Eckey2, A. Hoffmann2, and K. Hiramatsu3 — 1Inst. f. Exp. Physik, Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg — 2Inst. f. FKP, TU Berlin — 3Dep. of Electric. and Electron. Engineer., Mie Univ., Japan
Hexagonales GaN auf Saphirsubstraten wurde untersucht. Probe 1 ist eine 1µm dicke planare Epitaxiechicht. Bei Probe 2 wurden auf eine 2µm dicke mit SiO2-maskierte GaN-Schicht hexagonale GaN-Pyramiden selbstorganisiert gewachsen. Kathodolumineszenz-Messungen demonstrieren , da"s bei Probe 1die gelbe Lumineszenz nahe der Probenoberfl"ache entsteht. Sie zeigt die gleiche energetische Temperaturshift wie die Bandkanten-nahe Lumineszenz bzw. der Bandabstand Eg(T) unter Ber"ucksichtigung der thermischen Verspannung. Im Gegensatz hierzu tritt bei Probe 2 keine Verschiebung der gelben Lumineszenz mit T auf. Sie zeigt eine starke Verspannungsabh"angigkeit und besteht aus drei "ortlich separablen Komponenten[1]: Aus der 2µm dicken GaN-Schicht unterhalb der SiO2-Maske kommt die gelbe Lumineszenz h"oherer Energie; der mittlere energetische Bereich stammt von den GaN-Pyramidenfl"achen, w"ahrend der niederenergetische Teil r"aumlich ausschlie"slich auf die Spitze der Pyramide konzentriert ist. Unterschiedliche Prozesse werden als Ursache diskutiert. [1] F. Bertram et al., Proc. of MSS-8(1997)