Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 16: GaN I
HL 16.5: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 11:30–11:45, H15
Elektrische Eigenschaften von GaN nach Mg+- und Ca+-Ionenimplantation — •A. Wenzel, B. Mensching, C. Liu und B. Rauschenbach — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg
Für die lokale Dotierung von GaN-Schichten ist die Ionenimplantation eine entscheidende Prozeßtechnologie.
Die durch die Implantation erzeugten Strahlenschäden haben in der Regel negative Auswirkungen auf die optischen
und elektrischen Eigenschaften und müssen daher thermisch ausgeheilt werden.
In MBE-GaN-Proben wurden Ca+- und Mg+-Ionen variabler Dosis (1·1014 - 5·1015/cm2)
implantiert. Vor und nach einer thermischen Behandlung (RTA) bei 1150 ∘C für 15 s wurde die
Strahlenschädenverteilung mit RBS-Channeling und der Schichtwiderstand mit der Van-der-Pauw-Methode bestimmt.
Der Ausheilprozeß führt zu einer Verringerung der Strahlenschäden, die von der Dosis und der Masse der
implantierten Ionen abhängt. Zwischen Schichtwiderstand und Strahlenschäden besteht ein deutlicher Zusammenhang.