Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 19: II-VI Halbleiter
HL 19.4: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 16:45–17:00, H16
Einbauplatz und Ausheilverhalten von N nach Implantation in ZnSe — •F. Kroll1, K. Marbach1, B. Ittermann1, M. Füllgrabe1, M. Heemeier1, F. Mai1, P. Meier1, D. Peters1, H. Thieß1, H. Ackermann1, H.-J. Stöckmann1, W.-D. Zeitz2, H. Wenisch3, D. Hommel3 und G. Landwehr4 — 1Philipps-Universität Marburg, Fachbereich Physik, D-35032 Marburg — 2Hahn-Meitner-Institut, Bereich FD, D-14109 Berlin — 3Universität Bremen, Institut für Festkörperphysik, D-28359 Bremen — 4Physikalisches Institut der Universität Würzburg, D-97074 Würzburg
Es werden erste Messungen an 12N in ZnSe vorgestellt, die mit der β-strahlungsdetektierten Kernresonanz (β-NMR) durchgeführt wurden und die Aussagen über den Einbauplatz, das Ausheilverhalten und die Wechselwirkung mit Defekten erlauben. Nach der Implantation bei Raumtemperatur finden wir 8(5)% der N-Ionen auf Plätzen mit Td-Symmetrie. Dieser Anteil wächst ab 500 K an und erreicht bei T = 950 K einen Sättigungwert von über 50%. Dieses Anwachsen ist auf das thermisch aktivierte Ausheilen von ursprünglich interstitiellem N (Ni) auf ungestörte NSe-Plätze zurückzuführen. Die für den Ausheilprozeß bestimmte Aktivierungsenergie Ea = 0.51(0.06) eV gibt eine obere Grenze für die Ni-Wanderungsenergie an. Die Suche nach quadrupolar gestörten 12N-Signalen, also nach N auf Einbauplätzen mit niederer Symmetrie (z.B. Komplexe mit intrinsischen oder Implantationsdefekten) ist bisher erfolglos geblieben.