Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.1: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Untersuchung der Potentialverteilung in Si-dotiertem AlGaAs im Bereich des quantisierten Hallwiderstandes mit SET-Elektrometern — •J. Ebbecke1,2, T. Weimann2, M. Blöcker2, H. Scherer2, H. Wolf2 und F.-J. Ahlers2 — 1Technische Universität Braunschweig, Pockelsstr. 14, 38106 Braunschweig — 2Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig
Einen Ansatz zur Erklärung des Quanten-Hall-Effekts (QHE) bildet das Kantenstrommodell. In diesem Bild geht man davon aus, daß nur die elektronischen Zustände in der Nähe der Fermikante zum Stromtransport beitragen. Dies sind im Transportregime des QHE gerade die sogenannten elektronischen “Kantenzustände“ am Rande der Probe. Dort bilden sich streifenförmige Bereiche, die den Strom tragen.
Zur Untersuchung dieses Modells haben wir eng benachbarte SET-Transistoren auf die Oberfläche einer Si-dotierten AlGaAs-Heterostruktur aufgebracht. Der “elektrische“ Rand der Probe kann anhand eines Schottky-Kontaktes in der Nähe der SET-Schaltung variiert werden. Die Empfindlichkeit der SET-Elektrometer ist so groß, daß die Potentialverteilung des zweidimensionalen Elektronengases, welches sich etwa 70 nm unter der Oberfläche befindet, in Abhängigkeit vom Magnetfeld untersucht werden kann.