Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.100: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Drei-dimensional quantisierte Exzitonen in ultradünnen CdSe Abscheidungen in ZnSSe Matrix — •R. Engelhardt1, V. Türck1, U.W. Pohl1, D. Bimberg1 und P. Veit2 — 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin — 2Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, 39016 Magdeburg
Mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie wurde CdSe auf ZnSSe gitterangepaßt zum GaAs-Substrat bei T=350∘C abgeschieden und überwachsen. Die aus Röntgenmessungen bestimmte CdSe Abscheidungsmenge betrug 0.3-3.5 Monolagen (ML) mit einer Wachstumsrate von 1-3Å/s. Alle Proben zeigen in Photolumineszenz (PL) eine intensive exzitonische Lumineszenz, die stetig mit wachsender CdSe-Menge zu niedrigeren Energien schiebt. Spektral und lateral hochauflösende Kathodolumineszenzmessungen zeigen direkt individuelle Positionen und Rekombinationsenergien von dreidimensional quantisierten Exzitonenzuständen. Aus Transmissionselektronenmikroskopie-Aufnahmen ist sowohl eine anfängliche Inselbildung der CdSe-Abscheidungen zu erkennen als auch, in guter Übereinstimmung mit einer Abnahme der PL Intensität, das Entstehen von 60∘ Versetzungen bei Überschreiten der kritischen Schichtdicke von 3ML.