Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.106: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Ladungsträgerdynamik in selbstordnenden InAs Quantenpunkten — •R.J. Luyken1, A. Lorke1, J.P. Kotthaus1, D. Leonard2, G. Medeiros-Ribeiro2 und P. Petroff2 — 1Sektion Physik, LMU, Geschw.-Scholl. Pl. 1, 80539 München — 2Materials Dept. / QUEST, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA
Im Stranski-Krastanov Wachstum hergestellte InAs Quantenpunkte lassen sich in eine geeignete (Al)GaAs Kondensatorstruktur einbetten. Dies ermöglicht es, ein kontrolliertes Laden einzelner Elektronen mit Kapazitätsmessungen zu untersuchen [1][2]. In den Kapazitätsspektren wird beobachtet, daß sich eine Erhöhung der Frequenz deutlich auf das Ladeverhalten der untersten Zustände auswirkt, wohingegen das Ladeverhalten der höheren Zustände weit weniger beeinflußt wird. Dieser Effekt kann qualitativ im Rahmen eines einfachen Hebelarm-Modells erklärt werden, das die mit steigendem Besetzungsgrad sinkende Tunnelbarriere berücksichtigt. Ein Modell in Analogie zum radioaktiven Zerfall erlaubt es, die Tunnelzeiten in die verschiedenen Vielteilchen-Grundzustände zu bestimmen. Die Möglichkeit, durch Anlegen gepulster Signale angeregte Zustände zu besetzen oder sogar Besetzungsinversion zu erreichen, wird diskutiert.
[1] H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J.P. Kotthaus, P.M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 73, 2252 (1994)
[2 ] M. Fricke, A. Lorke, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff, Europhys. Lett. 36, 197 (1996)