Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.114: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Oxidschicht-dominierte Stromoszillationen am Si-HF-Kontakt — •Reinhard Prange, Juergen Carstensen, George Popkirov und Helmut Foell — Technische Fakultaet, Uni Kiel, Kaiserstr.2, 24143 Kiel

Bei höheren anodischen Spannungen treten am Silizium-HF-Kontakt Stromoszillationen auf, wobei Siliziumoxid elektrochemisch gebildet wird. Für sehr gering konzentrierte Elektrolyte mißt man langsame Oszillationen im Minutenbereich mit mittleren Stromdichten, die nahezu spannungsunabhängig und nur durch die chemische Abätzrate der HF definiert sind. Aus Potentialrücksprungexperimenten zu verschiedenen Zeiten innerhalb einer Periode erhält man transiente Stromkurven, die direkt als Oxidschichtdickenverteilungen interpretiert werden. Die quantitative Auswertung der Kurven gemäß einer gemittelten Kontinuitätsgleichung erlaubt die Bestimmung der Oxidschichtdicke und effektiven Abätzraten. Die ebenfalls berechneten Kapazitätswerte stimmen gut mit Ergebnissen aus it in situ FFT-impedanzspektroskopischen Messungen überein. Es wird ein Modell vorgeschlagen, das die makroskopischen Oszillationen als nächste Nachbarwechselwirkung lokaler Schwinger im AA-Bereich erklärt. Als Resultat von Monte- Carlo-Simulationen führt diese durch elektrische Feldstärke dominierte Wechselwirkung auf Perkolationslängen von ca. 100nm.