Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.118: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

LEED-IV Untersuchungen an Polytypen und Rekonstruktionen des SiC — •M. Kreuzberg, B. Schröter und Wo. Richter — Institut für Festkörperphysik, FSU Jena, Max–Wien–Platz 1, 07743 Jena

Die hexagonalen Oberflächen der Polytypen 4H und 6H sowie mittels MBE gewachsener kubischer SiC(111) Schichten wurden mit IV-LEED Messungen und Rechnungen untersucht. Es wurden deutliche Unterschiede zwischen 4H und den anderen Polytypen gefunden. Dagegen war es schwieriger, 3C und 6H zu unterscheiden, dies gelang nur für unverzwillingte Oberflächen.

Die Oberflächenrekonstruktionen 1 × 1, (√3 × √3)R30^∘ und 3 × 3 wurden insitu durch Heizen im Si-Dampfstrom erzeugt. Die experimentellen IV-Kurven für die (√3 × √3)R30^∘ Rekonstruktion wurden mit Rechnungen zu den Modellen verglichen, bei denen sich das Si-Adatom auf dem T4 oder H3 Platz befindet. Für die T4-Position wurde eine bessere Übereinstimmung gefunden.