Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.121: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie an UV-Ozon oxidierten InAs(100) Oberflächen — •A. Dutschke¹, M. Schäfer¹, A. Kornowski², M. Hannß¹, W. Naumann¹ und R. Anton¹ — ¹Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg — ²Institut für Physikalische Chemie, Universität Hamburg, Bundesstraße 45, 20146 Hamburg

Ein Verfahren zur Herstellung kontaminations-, insbesondere kohlenwasserstofffreier III/V-Halbleiteroberflächen ist die UV-Ozon Oxidation mit anschließendem Abheizen der Oxidschicht.

InAs (100) Waferoberflächen wurden auf diese Weise unterschiedlich lang oxidiert. Die Struktur und Morphologie dieser Oxidschichten wurde an (011) Querschnittspräparaten mit Transmissionselektronenmikroskopie untersucht.

Von besonderem Interesse war dabei die Grenzflächenrauhigkeit zwischen dem InAs Substrat und dem Oxid. Hierbei konnten in der ansonsten amorphen Oxidschicht kristalline Bereiche nachgewiesen und als Indiumoxid (In₂O₃) identifiziert werden.