Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.130: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Mikrorauhigkeitsanalyse technologischer Si-Oberflächen — •G. Schnasse, M. Langer und M. Henzler — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover

Streulichtmessungen liefern über das Verhältnis von gestreuter zu spekularer Intensität hochempfindlich statistische Informationen über die Oberfläche (wie z.B. der rms-Rauhigkeit). Der hierbei berücksichtigte Raumfrequenzbereich ergibt sich aus der Geometrie der Apparatur und nicht zuletzt aus der Größe des beleuchteten Oberflächenbereiches bei einer Nachweisgrenze von wenigen ppb.

Bei einem beleuchteten Bereich von weniger als 10 µ m wird durch Abrastern der Oberfläche in der Größenordnung des Fokusdurchmessers eine ortsaufgelöste Variation der lokalen rms-Rauhigkeit detektiert, die als Mikrostruktur bezeichnet wird. Realraumabbildende Meßmethoden wie z.B. STM und AFM liefern hingegen in einem Bandbereich, der sich mit dem des Streulichtes überlappt, direkte Topographieinformationen, aus denen ebenfalls die rms-Rauhigkeit berechnet werden kann.

Die Kombination von beugenden und realraumabbildenden Meßmethoden ist in einer Ultra-Hoch-Vakuum-Apparatur realisiert, so daß der Einfluß von Fremdstoffen auf atomarer Skala unterbunden und so die Ursache der mit Hilfe des Streulichtmeßverfahrens detektierten Mikrorauhigkeit analysiert werden kann.