Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.133: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Elektronische Struktur der Si(111):Sn-(√3×√3) R30^o Oberfläche — •R. Spettmann¹, K. Schroeder², S. Blügel² und P. Entel¹ — ¹Theoretische Physik, Gerhard-Mercator-Universität - GH Duisburg, D-47048 Duisburg — ²Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich

In diesem Vortrag diskutieren wir die Si(111):Sn (√3×√3)R30^o Oberfläche als ein Modellsystem für die Grenzflächeneigenschaften von Zinn–Kontakten mit der Siliziumoberfläche. Mit der ab initio Pseudopotentialmethode in Verbindung mit Molekulardynamik auf der Grundlage der Dichtefunktionaltheorie in der lokalen Dichtenäherung haben wir die atomaren Koordinaten der Atome relaxiert und gleichzeitig die elektronische Struktur bestimmt. Wir berechnen die Struktur und die Gesamtenergie für 1/3ML, 1ML, 1 1/3ML, 2ML und 2 1/3ML (ML=Monolagen) Sn. Wir diskutieren die Konsequenz aus den berechneten Energien für die Stabilität der Sn–Schichten, die elektronische Struktur und bestimmen die Schottky Barriere.