Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.15: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Lokale Photolumineszenz an InGaN — •S. Figge, T. Böttcher, S. Einfeldt und D. Hommel — Universität Bremen, Institut für Festkörperphysik, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen

Mittels RF-Molekularstrahlepitaxie wurden In_xGa_1−xN-Schichten auf (0001)-Saphir gewachsen und mit Röntgenbeugung (XRD), Transmissonselektronenmikroskopie (TEM) und Kathodolumineszenz (CL) untersucht.
Während des Wachstumsvorgangs bilden sich in den Schichten Domänen mit unterschiedlichem Indiumgehalt aus, die nach Abschätzung aus ortsaufgelöster CL eine typische laterale Ausdehnung von 100 nm haben.
Da in der Photolumineszenzspektroskopie (PL) minimal erreichbare Anregungsbereiche eine Ausdehnung in der Größenordnung von Mikrometern haben, sind diese Spektren integraler Art. Auf Grund dieser Spektren und mit den Daten aus der ortsaufgelösten CL können Abschätzungen über die Fluktuationen und die Zusammensetzung der Schicht gemacht werden.
Um weitere Rückschlüsse ziehen zu können, wurden Mesen unterschiedlicher Strukturgröße (bis 60 nm) aus der Schicht herausgeätzt. An ihnen kann eine lokale Charakterisierung der Domänen mit Hilfe der PL vorgenommen werden.