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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.19: Poster

Monday, March 23, 1998, 10:30–19:00, A

Tiefenprofilanalysen und Strukturuntersuchungen an GaN-Schichten — •J. Portmann, C. Haug und R. Brenn — Fakultät für Physik, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg im Breisgau, Hermann-Herder-Str. 3, D-79104 Freiburg

Rutherford-Backscattering (RBS) und Ionen-Channeling in Verbindung mit Nuclear Reaction Analysis (NRA) und Particle Induced X-Ray Emission (PIXE) können erfolgreich zur Charakterisierung von kristallinen Materialien bezüglich Defekten, Fremdelementen und deren Gitterplatzlokalisierung eingesetzt werden. Am Freiburger Van de Graaff-Beschleuniger steht für solche Untersuchungen ein Dreiachs-Goniometer zur Verfügung, mit dem gezielt Kristallkanäle und Ebenen untersucht werden können.
Mit RBS konnte die Zusammensetzung und die Dicken der GaN-Schichten bestimmt werden. Mit NRA wurden sowohl mit MBE als auch mit CVD gewachsene Schichten auf Saphir-Substrat im Hinblick auf Wasserstoffkonzentrationen

untersucht. Speziell an Mg-dotierten CVD-GaN Schichten ist der Einfluß eines Temperprozesses in N₂-Umgebung untersucht worden. Verschiedenen GaN-Schichten wurden mit RBS, PIXE- und Ionen-Channeling untersucht. Die

Ergebnisse der Channeling-Messungen lieferten Aufschluß über Defekte und das Wachstum der Schichten. Die GaN-Schichten wurden von Kooperationspartnern für die Messungen zur Verfügung gestellt.