Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.32: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Direkte Abbildung unterschiedlicher Morphologie-Kanäle in dicken GaN-Schichten mittels Kathodolumineszenz-Mikroskopie — •M. Schmidt1, F. Bertram1, D. Rudloff1, J. Christen1, F.X. Bronold1, A. Hoffmann2, H. Siegle2 und K. Hiramatsu3 — 1Inst. f. Exp. Physik, Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg — 2Inst. f. FKP, TU Berlin — 3Dep. of Electric. and Electron. Engineer., Mie Univ., Japan
Eine undotierte 220µm dicke hexagonale GaN-Schicht wurde mittels hydride vapor phase epitaxy (HVPE) mit ZnO-Pufferschicht auf Saphir gewachsen [1]. In Kathodolumineszenz-Mikroskopie werden auf der Querschnittsfläche örtlich scharf voneinander separierte Regionen verschiedener Lumineszenz sichtbar, die als Kanäle parallel zur c-Achse verlaufen. Sie sind eindeutig mit der Säulen-Morphologie des GaN korreliert[2]. Es sind zwei Kategorien unterscheidbar: Der eine Kanaltyp zeigt drei scharfe bandkantennahe Linien (FWHM < 1 meV), die als (X), (D10,X) und (D20,X) identifiziert werden und in gleicher Weise entlang der Wachstumsrichtung spektral verschoben sind. Der zweite Kanaltyp zeigt eine breite extrinsische Lumineszenzbande, die keine energetische Shift entlang der c-Richtung aufweist. Dieser Prozeß dominiert die Lumineszenz bei Zimmertemperatur. Die Dissoziation des ZnO und der Einbau von O als Hauptdonator sowie Zn-Akzeptoren entlang Versetzungskanälen wird diskutiert. [1] T. Detchprom et al., APL 61, 2688 (1992), [2] H. Siegle et al. APL 71, 2490 (1997)