Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.39: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Optimierte ultrahochdichte MOS-Transistor-Arrays auf Silizium-Basis mit vertikaler Isolation — •T. Haneder1,2, E. Bertagnolli1 und H. von Philipsborn2 — 1SIEMENS AG, ZT ME 1, D-81730 München — 2Universität Regensburg, Fakultät Physik, D-93040 Regensburg
Verzichtet man bei der Isolation benachbarter aktiver Gebiete in modernen Halbleiterbauelementen auf planare LOCOS-Techniken und führt eine vertikale Isolation ein, ist eine Verdoppelung der Packungsdichte der aktiven Bauelemente möglich [1]. Diese grabenbegrenzten Transistoren zeigen jedoch geometriebedingte parasitäre Effekte aufgrund von Feldüberhöhungen an konvexen Kanten. Durch Optimierungsmaßnahmen gelang es erstmals, dreidimensional integrierte MOS-Ttransistoren mit idealem Kennlinienverlauf herzustellen. Im Hinblick auf die neue vertikale Isolation benachbarter Bauelemente konnte geklärt werden, unter welchen Voraussetzungen sie die einwandfreie Funktion eines Transistor-Arrays gewährleistet. Darüber hinaus konnte gezeigt werden, daß die dreidimensionale Integration auch bei Strukturbreiten von 0.25 µm und darunter möglich ist.
[1] W. Krautschneider, A. Rusch, F. Hofmann, F. Lau, B. Hasler, A. Kohlhase, U. Zimmermann, E. Bertagnolli, SSDM Extended Abstracts, 827 (1996)