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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
HL 2.47: Poster
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
Frühstadien des Wachstums von ZnTe Epitaxieschichten auf (100)- und (111)-GaAs Substraten — •A. Wurl1, A. Rosenauer1, D. Gerthsen1, B. Hahn2 und W. Gebhardt2 — 1Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, Kaiserstr. 12, D-76128 Karlsruhe — 2Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, D-93053 Regensburg
Der Anwachsprozeß von MOVPE ZnTe Schichten auf GaAs(100) und (111)
wird mit der Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht.
Diese liefert Informationen über Struktur und Relaxation der
Schichten, die eine Fehlanpassung von -7,5% aufweisen. Die
nominellen Schichtdicken liegen zwischen 2 und 20 nm. Die Proben sind
ab einer Dicke von 10 nm durch den Einbau von Versetzungen in die
Grenzfläche vollständig relaxiert. Auf den Substraten mit
(100)-Orientierung bilden sich ab einer nominellen Dicke von 5 nm
Inselstrukturen heraus. Diese wachsen bei größerer Schichtdicke zu
einer durchgängigen Schicht zusammen. Querschnittsaufnahmen der
Schichten mit (111)-Oberflächenorientierung zeigen Inselstrukturen
mit einer Ausdehnung von 8 - 15 nm auf einer zweidimensionalen
Benetzungsschicht, deren Dicke von der nominellen Schichtdicke
abhängt. Die Kristallstruktur der Inseln weicht von der
Zinkblendestruktur ab. Die HRTEM-Kontrastmuster und
Feinbereichsbeugungsbilder der Inseln weisen auf zwei verschiedene
ZnTe-Überstukturen hin.