Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.50: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Phononeigenschaften in CdS/ZnS Übergittern — •A. Dinger¹, M. Hetterich¹, M. Göppert¹, M. Grün¹, C. Klingshirn¹, B. Weise², J. Liang², V. Wagner² und J. Geurts² — ¹Inst. für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D–76128 Karlsruhe — ²Lehrstuhl für Experimental Physik III, Universität Würzburg, D–97074 Würzburg

Wir untersuchen die optischen und strukturellen Eigenschaften von verspannten CdS/ZnS Übergittern mittels Raman–, Photolumineszenz–, Photolumineszenzanregungsspektroskopie (PLE) und Röntgenbeugung. Der Schwerpunkt liegt hierbei auf den Phononeneigenschaften, die in diesem Übergittersystem noch nicht erforscht wurden. Röntgenbeugungsprofile zeigen Übergittersatellitenstrukturen bis hin zur vierten Ordnung, die auf eine wohldefinierte Übergitterperiodizität schließen lassen. Dies ermöglicht es uns, mit Hilfe der Ramanspektroskopie gefaltete longitudinale akustische Phononen erster Ordnung zu beobachten. Die spektrale Lage hängt erwartungsgemäß von der Übergitterperiode ab und stimmt sehr gut mit Rechnungen nach dem Rytov – Modell überein. Für die LO–Phononen von CdS und ZnS dominiert die verspannungsinduzierte Verschiebung der Phononenfrequenzen über Quantisierungseffekte. Auch hier kann eine recht gute Übereinstimmung zwischen Theorie und Experiment erzielt werden. Die Halbwertsbreite der PL–Spektren beträgt 55–60 meV und die Emissionsenergien liegen bei etwa 3 eV. PLE–Spektren zeigen LO–Phononenkaskaden aufgrund der phononenassistierten Relaxation von korrelierten Elektron–Loch–Paaren.