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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Poster I

HL 2.97: Poster

Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A

Rauschuntersuchungen an Halbleiter-SET-Transistoren — •A. von Campenhausen, K. Pierz, T. Weimann, M. Blöcker und F.-J. Ahlers — Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig

Die elektrischen Transporteigenschaften von Sub-µ m-Strukturen werden bei hinreichend tiefer Temperatur durch die Coulomb-Abstoßung einzelner Elektronen dominiert. Durch Variation des Potentials der Insel z. B. mit Hilfe eines elektrostatisch gekoppelten Gates treten Coulomb-Blockade-Oszillationen in der Leitfähigkeit auf. Im Single-Electron-Tunneling-Transistor (SET-Transistor) wird dieser Effekt ausgenutzt.

Wir präsentieren Rauschuntersuchungen an mit unterschiedlicher Technologie lateral strukturierten SET-Transistoren. Aus einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur wird durch Naß- oder Trockenätzen eine Mesastruktur präpariert. Durch Aufdampfen von metallischen Gates wird im 2DEG eine isolierte Insel von einigen hundert Nanometer Durchmesser definiert. Verglichen werden Strukturen mit rein elektrostatisch definierten Rändern und solche mit geätzten und elektrostatisch definierten Rändern.