Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 20: Photovoltaik III
HL 20.12: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 18:45–19:00, H13
Fremddotierung und Defekte in CuGaSe2 für Solarzellen — •T. Weiss, M. Birkholz, M. Kunst, S. Bleyhl, M. Saad, A. Jäger-Waldau und M.Ch. Lux-Steiner — Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin
Für ein neu zu entwickelndes chemisches Abscheideverfahren für ZnSe/CuGaSe2 Dünnschichtsolarzellen wird einphasiges, hochreines CuGaSe2 mit definierten elektrischen und optischen Eigenschaften benötigt. Verschiedene Möglichkeiten der Elemtentsynthese des Halbleitermaterials unter inerten Bedingungen, sowie Experimente mit Zugabe der Dotiermaterialien AgJ und Ag2Se werden vorgestellt. Zur Charakterisierung kamen die zeitaufgelöste Messung der Mikrowellen-Leitfähigkeit (TRMC) sowie Photolumineszenz (PL) und Röntgendiffraktometrie (XRD) zum Einsatz. TRMC-Messungen ergaben eine untere Grenze der effektiven Beweglichkeiten von µp = 5 cm2/Vs für Löcher im undotierten Material und µp = 10 cm2/Vs für dotiertes Material. Photolumineszenzmessungen bei T = 10 K ergaben eine dominierende Emission bei E = 1.67 eV. Mit intensitäts- und temperaturabhängigen Messungen konnte diese einem Band - Störstellen Übergang zugeordnet werden. Sein Abstand zur Bandkante beträgt 50 meV. Mit XRD - Messungen konnte das synthetisierte Material im Rahmen der Genauigkeit dieser Meßmethode als phasenreines CuGaSe2 idendifiziert werden.