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Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Photovoltaik III

Dienstag, 24. März 1998, 16:00–19:30, H13

16:00 HL 20.1 Charakterisierung der Stromtransportmechanismen in MIS -Tunneldioden auf Siliciumbasis mittels I-V-T-Messungen — •D. H. Neuhaus, B. Kuhlmann, R. Meyer, A.G. Aberle, R. Auer, and R. Hezel
16:15 HL 20.2 Experimentelle und numerische Untersuchung von a-SiGe:H-pin-Solarzellen mit gradierter Bandlücke. — •J. Zimmer, H. Stiebig, J. Fölsch, D. Knipp und H. Wagner
16:30 HL 20.3 Charakterisierung hocheffizienter MIS-Inversionsschicht-Si-Solarzellen — •A. Metz, R. Meyer, B. Kuhlmann, M. Grauvogl und R. Hezel
16:45 HL 20.4 CuInS2 als extrem dünner Absorber in eta-Solarzellen — •J. Möller, S. Siebentritt, Ch.-H. Fischer, R. Könenkamp und M.Ch. Lux-Steiner
17:00 HL 20.5 CuI und CuSCN als p-Halbleiter für die eta-Solarzelle — •C. Rost, S. Siebentritt, R. Könenkamp und M.Ch. Lux-Steiner
17:15 HL 20.6 Obergrenzen für den Wirkungsgrad von Mehrbandsolarzellen — •Stefan Kettemann und Jean-Francois Guillemoles
17:30 HL 20.7 Poröses TiO2: Dotierung mit Ti3+ Grenzflächenzuständen und Auswirkung auf die Injektionssolarzelle — •Josef Weidmann, Thomas Dittrich, Elizaveta Konstantinova, Iver Lauermann, Ingo Uhlendorf und Frederik Koch
17:45 HL 20.8 Rastertunnelspektroskopie an polykristallinen Cu(In,Ga)Se2-
Dünnschichten
— •U. Stahl , U. Herber, R. Fink, E. Umbach und W. Riedl
18:00 HL 20.9 Systematische Untersuchung des Effekts von Korngrenzen in photovoltaischen Materialien — •T. Weis, R. Lipperheide und U. Wille
18:15 HL 20.10 Vergleich von Lebensdauermessungen an Silicium mittels quasi-statischem Schwingkreis- und transientem Mikrowellennachweis — •C. Berge, J. Schmidt, B. Lenkeit, H. Nagel und A.G. Aberle
18:30 HL 20.11 Chemische Gasphasendeposition von polykristallinen ZnSe Schichten für die Anwendung in Chalkopyrit Dünnschichtsolarzellen — •M. Toplak, Ch. Sommerhalter, M. Birkholz, A. Jäger-Waldau und M.Ch. Lux-Steiner
18:45 HL 20.12 Fremddotierung und Defekte in CuGaSe2 für Solarzellen — •T. Weiss, M. Birkholz, M. Kunst, S. Bleyhl, M. Saad, A. Jäger-Waldau und M.Ch. Lux-Steiner
19:00 HL 20.13 Inversionsschicht-Si-Solarzellen mit hoher Leerlaufspannung — •C. Hampe, B. Kuhlmann, A. Metz, A.G. Aberle und R. Hezel
19:15 HL 20.14 Zusammenhang von Material- und Solarzelleneigenschaften bei Verwendung von optimierten amorphen Silizium-Germanium-Legierungen — •D. Lundszien, J. Fölsch, F. Finger und H. Wagner
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