Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Photovoltaik III

HL 20.10: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:15–18:30, H13

Vergleich von Lebensdauermessungen an Silicium mittels quasi-statischem Schwingkreis- und transientem Mikrowellennachweis — •C. Berge, J. Schmidt, B. Lenkeit, H. Nagel und A.G. Aberle — Institut für Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal, Am Ohrberg 1, D-31860 Emmerthal

Die Lebensdauer von Überschußladungsträgern ist eine den Wirkungsgrad von kristallinen Silicium-Solarzellen maßgeblich bestimmende Größe. Zur Messung der effektiven Ladungsträgerlebensdauer von Si-Wafern existieren verschiedene kontaktlose Nachweismethoden. Sehr verbreitet ist der Nachweis mittels transienter Mikrowellenreflexion (MW-PCD), bei dem die Überschußladungsträger durch kurze Laserpulse generiert werden und das Abklingen der Leitfähigkeit im Wafer über die reflektierte Mikrowellenleistung gemessen wird. Vergleichsweise neu hingegen ist der Nachweis durch induktive Kopplung des Wafers an einen kalibrierten Schwingkreis unter quasi-statischer, d.h. gegenüber der Ladungsträgerlebensdauer langsam abklingender Beleuchtung (QSSPC) [1]. Ein wesentlicher Unterschied beider Meßmethoden liegt darin, daß mittels MW-PCD Lebensdauern ortsaufgelöst gemessen werden, während die QSSPC flächengemittelt über größere Bereiche mißt. In diesem Beitrag werden die Vor- und Nachteile beider Methoden anhand von Messungen an homogenem mono- sowie inhomogenem multikristallinem Silicium dargestellt.

[1] R.A. Sinton, A. Cuevas, Appl. Phys. Lett. 69 (17), 2510 (1996)