Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Photovoltaik III

HL 20.7: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:30–17:45, H13

Poröses TiO₂: Dotierung mit Ti³⁺ Grenzflächenzuständen und Auswirkung auf die Injektionssolarzelle — •Josef Weidmann¹, Thomas Dittrich², Elizaveta Konstantinova^2,3, Iver Lauermann¹, Ingo Uhlendorf¹ und Frederik Koch² — ¹INAP GmbH, Munscheidstr. 14, 45886 Gelsenkirchen — ²Physik Department E16, Technische Universität München, 85748 Garching — ³Permanent address: Moscow State University, Physics Department, 119899 Moscow, Russia

Poröses TiO₂ (Anatas) wird in der Injektionssolarzelle eingesetzt. Kenntnisse über die elektrische Leitfähigkeit sind daher von technologischem Interesse. Bei niedrigen Sauerstoffpartialdrücken und hohen Temperaturen werden Ti³⁺ Defektzustände an den por-TiO₂ Oberflächen erzeugt. Das führt zu erhöhter Dunkel- und Photoleitfähigkeit sowie zum Entstehen einer breiten Defektlumineszenz bei 2.4 eV. Systematische Untersuchungen mittels Impedanzspektroskopie, Photoleitungs- und Photolumineszenzmessungen ergeben ein breites Ti³⁺ Oberflächendefektband ca 0.8 eV unterhalb des Leitungsbandes von por-TiO ₂. Die Auswirkungen der Ti³⁺ Grenzflächenzustände auf die Solarzelle werden vorgestellt.