Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 21: Quantendr
ähte
HL 21.1: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 16:00–16:15, H1
Quantenfadenbildung durch Arsen/Phosphor-Austausch im InP V-Graben — •M. Kappelt, V. Türck und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin
Wir berichten erstmals über optische Eigenschaften von Quantenfäden, die durch Arsen/Phosphor-Austausch in InP V-Gräben erzeugt wurden. Diese Austauschreaktion beim Umschalten der Gruppe-V Quellen in der metallorganischen Gasphasenepitaxie ist qualitativ bekannt [1]. Wir stellen Ergebnisse von Photolumineszenzexperimenten an arsinbehandelten planaren (001), (111)A, (111)B und V-Graben InP Substraten vor. Durch geeignete Temperatur und Arsinexpositionszeit der InP Oberfläche und anschließendem Überwachsen der Struktur mit InP kann die Entstehung von InAs1−xPx Quantentöpfen induziert werden, deren Eigenschaften je nach Substratorientierung unterschiedlich ausfallen. Dieses Verhalten führt in InP V-Gräben zu unterschiedlichem Ladungsträger-Confinement auf {111}A Seitenflächen und Grabenboden. Ortsaufgelöste Kathodolumineszenzmessungen belegen die Bildung von InAsP Quantenfäden in der Grabenspitze. Aus PL Messungen bestimmten wir das Maximum der Fadenemission bei 1.163 eV (FWHM=31 meV) bei 8 K. Bei Anregungsdichten oberhalb 50 W/cm2 dominiert die Fadenlumineszenz das intergrale Spektrum, sonst dagegen die Lumineszenz der Quantenwells auf den Seitenflächen.
[1] K. Streubel, V. Härle, F. Scholz, M. Bode, M. Grundmann. J. Appl. Phys., 71, 3300, (1992)