Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 21: Quantendr
ähte
HL 21.4: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 16:45–17:00, H1
Kapazitäts- und Oberflächenpotential-Messungen an Halbleiterstrukturen mit Nanometer-Aufölsung — •Axel Born, Johannes Isenbart und Roland Wiesendanger — Universität Hamburg, Institut für Angewandte Physik,Jungiusstr. 11, D-20355 Hamburg
Mit dem Rasterkapazitätsmikroskop (RKaM) läßt sich die Dotierung von Halbleiterstrukturen in einem Bereich von 1015 cm−3 bis 1020 cm−3 mit einer lateralen Auflösung von bis zu 20 nm bestimmen. Dadurch ist das RKaM prädestiniert für die Untersuchung von integrierten Schaltungen, die heutzutage mit minimalen Strukturen von unter 250 nm hergestellt werden. Mit dem elektrostatischen Nahfeld-Raster-Mikroskop lassen sich Oberflächenpotentiale von Halbleiterstrukturen ebenfalls mit einer lateralen Auflösung von bis zu 20 nm bestimmen und damit zusätzliche Informationen gewinnen. Die Grundlagen beider Meßmethoden werden diskutiert und die Meßergebnisse verglichen. Hierbei wird insbesondere auf die Messung und Interpretation von Kapazitäts-Spannungs-Kurven eingegangen. Ferner werden Beispiele für den Einsatz des RKaM bei der Fehleranalyse von integrierten Schaltungen am Beispiel des elektrostatischen Durchschlags vorgestellt.