Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 21: Quantendr
ähte
HL 21.9: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 18:00–18:15, H1
Zeitaufgelöste Nahfeldspektroskopie der Ladungsträgerdynamik in einzelnen GaAs Quantendrahtstrukturen — •Ch. Lienau1, A. Richter1, M. Süptitz1, T. Elsaesser1, M. Ramsteiner2, R. Nötzel2 und K. H. Ploog2 — 1Max-Born-Institut für Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, D-12489 Berlin — 2Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, D-10177 Berlin
Direkte Untersuchungen des Transports photogenerierter Elektron-Loch-Paare in Halbleiternanostrukturen erfordern sowohl höchste räumliche als auch zeitliche Auflösung. Optische Nahfeldmikroskopie mit einer erzielbaren Auflösung von weniger als 100 nm stellt - zusammen mit zeitaufgelösten Methoden - eine vielversprechende Technik für solche Experimente dar [1]. In diesem Beitrag berichten wir über erste nahfeldspektroskopische Untersuchungen der Ladungsträgerdynamik in neuartigen, auf strukturierten hochindizierten GaAs Substraten gewachsenen GaAs Quantendrähten mit einer Zeitauflösung von 100 ps in einem Temperaturbereich von 10 - 300 K. Ladungsträgertransport und -relaxation werden räumlich und zeitlich voneinander getrennt und der Einfluß des - mit nahfeldspektroskpischen Methoden quantitativ bestimmten - lokalen Confinementpotentials des Drahtes und des umgebenden Quantenfilms auf den Ladungsträgertransport wird diskutiert. Die Interpretation der experimentellen Ergebnisse wird durch Modellrechnungen unterstützt.
[1] A. Richter, G. Behme, M. Süptitz, Ch. Lienau, T. Elsaesser, M. Ramsteiner, R. Nötzel, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 79, 2145 (1997).