Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.14: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 19:15–19:30, H17

Einflu"s von Arsen auf die Ag/InP(001)-Grenzfl"ache — •K. Gebhardt¹, S. Sloboshanin², C. Pettenkofer³, J.A. Schaefer², and T. Chassé¹ — ¹Institut f"ur Physikal. und Theor. Chemie, Universit"at Leipzig — ²TU Ilmenau — ³Hahn-Meitner-Institut, Berlin

Die durch Sputtern und Ausheilen pr"aparierte InP(001)-(4×2)-Oberfl"ache wurde in situ sowohl bei Raumtemperatur als auch bei 450^∘C mit Arsen modifiziert und dann in mehreren Schritten mit Silber belegt. Nach Ausheilen unter As-Angebot kam es zur Umwandlung der In-terminierten (4×2) zur As-terminierten (2×4). Die As-Exposition bei RT f"uhrte zu einer (1×1). Photoemissionsuntersuchungen (BESSY, TGM 7) belegen, da"s das Arsen die Reaktion zwischen In und Ag weitgehend unterdr"uckt und zudem zweidimensionales Wachstum des Silbers bewirkt, das erst ab etwa 2ML in Inselwachstum umschl"agt. Dieses Verhalten ist "ahnlich dem auf der (110)-Oberfl"ache beobachteten [1]. Auf der InP(001)-(4×2)-Oberfl"ache kommt es nach der Ag-Deposition hingegen sofort zur Reaktion und Ag-Inselbildung.
Diese Arbeit wurde durch das BMBF (05 622 OLA 3) unterst"utzt.

[1] S. Sch"omann, K. Schmidt, H. Peisert, T. Chassé, K. Horn, Surf. Sci. 352-354, 855 (1996)