Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

Dienstag, 24. März 1998, 16:00–19:30, H17

	16:00	HL 22.1	Untersuchungen von (113) und (113) GaAs Oberflächen in MOVPE — •H. Menhal, M. Pristovsek, J.-T. Zettler und W. Richter
	16:15	HL 22.2	Photolumineszenzuntersuchungen an Ge-Inselschichten auf Si(001) — •M. Goryll, L. Vescan, and H. L"uth
	16:30	HL 22.3	Stabilisierung und Passivierung von Si-Grenzflächen in sauren fluoridhaltigen Elektrolyten — •Thomas Dittrich, Michael Schwartzkopf, Jörg Rappich und Elmar Hartmann
	16:45	HL 22.4	Leerstellen und anti-sites auf GaAs und GaP (110) — •G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler
	17:00	HL 22.5	Photoemission studies on Na/ZnSe(100) interfaces — •Zhonghui Chen, D. Eich, G. Reuscher, R. Fink, and E. Umbach
	17:15	HL 22.6	Untersuchung der Oxidation und Oxiddesorption von UV-Ozon behandelten InAs(100) Oberflächen — •M. Schäfer, T. Finnberg, W. Naumann, M. Hannß, A. Dutschke, K. Oehlstrom, T. Franke und R. Anton
	17:30	HL 22.7	Hochaufgelöste XPS-Untersuchungen an CdS-Nanopartikelschichten — •U. Winkler, D. Eich, Z. Chen, R. Fink und E. Umbach
	17:45	HL 22.8	Photoemission an Elementhalbleitergrenzflächen mit ultradünnen Zwischenschichten — •U. Wesskamp, O. Kollmann, Y.-C. Lim und B. Schmiedeskamp
	18:00	HL 22.9	RDS Spektren verschieden rekonstruierter 3C-SiC(001) Oberflächen: neue Evidenz für den Beitrag von Oberflächenzuständen zur optischen Anisotropie — •U. Rossow, K. Lindner, M. Lübbe, J. A. Schaefer und D.R.T. Zahn
	18:15	HL 22.10	Strukturcharakterisierungen von GaSe/Si(111) Halbleiterschichten mit MEIS — •Y.C. Lim, U. Wesskamp, O. Kollmann und B. Schmiedeskamp
	18:30	HL 22.11	Elektronenspektroskopie an mikrokristallinem Silizium (µc-Si) — •E. Böhmer, F. Siebke und H. Wagner
	18:45	HL 22.12	Untersuchung der Grenzfl"achenzust"ande d"unner Si-Oxid- und Si-Oxynitridschichten mittels DLTS — •R. Beyer, H. Burghardt, E. Thomas, R. Reich, T. Ge"sner, and D.R.T. Zahn
	19:00	HL 22.13	Mikroskopische Untersuchungen zum Verständnis des Voidbildungsmechanismus am SiC/Si-Interface — •J. Jinschek, U. Kaiser, A. Fissel, K. Pfennighaus und Wo. Richter
	19:15	HL 22.14	Einflu"s von Arsen auf die Ag/InP(001)-Grenzfl"ache — •K. Gebhardt, S. Sloboshanin, C. Pettenkofer, J.A. Schaefer, and T. Chassé