Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

HL 22.9: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 18:00–18:15, H17

RDS Spektren verschieden rekonstruierter 3C-SiC(001) Oberflächen: neue Evidenz für den Beitrag von Oberflächenzuständen zur optischen Anisotropie — •U. Rossow¹, K. Lindner², M. Lübbe², J. A. Schaefer¹ und D.R.T. Zahn² — ¹TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau — ²TU Chemnitz, Halbleiterphysik, 09107 Chemnitz

Reflectance-Difference-Spectroscopy (RDS/RAS) ist eine vielfach angewendete Methode zur Charakterisierung von Oberflächen. Ein auf der elektronischen Struktur basierendes Verständnis der Spektren ist aber noch nicht erreicht worden. In vielen Fällen können wir die Spektren so deuten, daß die Oberfläche die optische Antwort des Volumens modifiziert. Unklar ist der mögliche Beitrag von Oberflächenzuständen. RDS-Spektren im Bereich der indirekten Bandlücke (1.5 bis 5.5eV) von kubischem 3C-SiC(001) deuten auf einen Beitrag von Oberflächenzuständen hin. Im Gegensatz zu (2x1)- und c(2x2)-rekonstruierten Oberflächen zeigt die besonders Si-reiche (3x2)-Oberfläche eine ausgeprägte spektrale Struktur bei 4.2eV nahe dem interbandkritischen Punkt E₂ von Si-Volumenmaterial. Da SiC dort keine Struktur hat liegt es nahe, diese Struktur der Oberfläche zuzuordnen und dem zusätzlichen Si zuzuschreiben. Die Linienform ähnelt zudem der besonders Arsen-reichen c(4x4) rekonstruierten GaAs(001)-Oberfläche um 2.6eV. Beides kann so interpretiert werden, daß Dimer-Zustände beitragen, deren elektronischer Charakter sich von dem des jeweiligen Volumenmaterials ableitet.