Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen
HL 22.12: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 18:45–19:00, H17
Untersuchung der Grenzfl"achenzust"ande d"unner Si-Oxid- und Si-Oxynitridschichten mittels DLTS — •R. Beyer1, H. Burghardt2, E. Thomas2, R. Reich2, T. Ge"sner2, and D.R.T. Zahn1 — 1Institut f"ur Physik, Professur f"ur Halbleiterphysik, Technische Universit"at Chemnitz, D-09107 Chemnitz — 2Institut f"ur Halbleiter- und Mikrosystemtechnik, Professur f"ur Mikrotechnologie, Technische Universit"at Chemnitz, D-09107 Chemnitz
Grenzfl"achenzust"ande 6-8 nm dicker SiO2- und SiOxNy-Schichten wurden mittels CV-Untersuchung und DLTS bestimmt. Die Schichten wurden mit Rapid Thermal Processing bei 1100 und 1150oC in O2 bzw.N2O auf (100) Silizium hergestellt. Die Auswertung der HF- und quasistatischen CV- Kurven ergibt die Grenzfl"achenzustandsdichteverteilung Dit in Abh"angigkeit von der energetischen Lage in der Bandl"ucke. Die Generation von Zust"anden nach Fowler-Nordheim-Tunnelinjektion wird gezeigt. Energieaufgel"oste DLTS mit F"ullpulsamplituden bis 100 mV gestattet die Analyse der kontinuierlich verteilten Zust"ande mit der "ublichen Arrhenius-Auswertung und die Ermittlung der energetischen Verteilung des Einfangquerschnittes. Methodische Aspekte der Klein-Puls DLTS (Potentialfluktuation, energet. Aufl"osung, Einfang im Verarmungsregime) werden diskutiert.