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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Grenz-/Oberfl
ächen

Tuesday, March 24, 1998, 16:00–19:30, H17

16:00 HL 22.1 Untersuchungen von (113) und (113) GaAs Oberflächen in MOVPE — •H. Menhal, M. Pristovsek, J.-T. Zettler und W. Richter
16:15 HL 22.2 Photolumineszenzuntersuchungen an Ge-Inselschichten auf
Si(001)
— •M. Goryll, L. Vescan, and H. L"uth
16:30 HL 22.3 Stabilisierung und Passivierung von Si-Grenzflächen in sauren fluoridhaltigen Elektrolyten — •Thomas Dittrich, Michael Schwartzkopf, Jörg Rappich und Elmar Hartmann
16:45 HL 22.4 Leerstellen und anti-sites auf GaAs und GaP (110) — •G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler
17:00 HL 22.5 Photoemission studies on Na/ZnSe(100) interfaces — •Zhonghui Chen, D. Eich, G. Reuscher, R. Fink, and E. Umbach
17:15 HL 22.6 Untersuchung der Oxidation und Oxiddesorption von UV-Ozon behandelten InAs(100) Oberflächen — •M. Schäfer, T. Finnberg, W. Naumann, M. Hannß, A. Dutschke, K. Oehlstrom, T. Franke und R. Anton
17:30 HL 22.7 Hochaufgelöste XPS-Untersuchungen an CdS-Nanopartikelschichten — •U. Winkler, D. Eich, Z. Chen, R. Fink und E. Umbach
17:45 HL 22.8 Photoemission an Elementhalbleitergrenzflächen mit ultradünnen Zwischenschichten — •U. Wesskamp, O. Kollmann, Y.-C. Lim und B. Schmiedeskamp
18:00 HL 22.9 RDS Spektren verschieden rekonstruierter 3C-SiC(001) Oberflächen: neue Evidenz für den Beitrag von Oberflächenzuständen zur optischen Anisotropie — •U. Rossow, K. Lindner, M. Lübbe, J. A. Schaefer und D.R.T. Zahn
18:15 HL 22.10 Strukturcharakterisierungen von GaSe/Si(111) Halbleiterschichten mit MEIS — •Y.C. Lim, U. Wesskamp, O. Kollmann und B. Schmiedeskamp
18:30 HL 22.11 Elektronenspektroskopie an mikrokristallinem Silizium (µc-Si) — •E. Böhmer, F. Siebke und H. Wagner
18:45 HL 22.12 Untersuchung der Grenzfl"achenzust"ande d"unner Si-Oxid- und Si-Oxynitridschichten mittels DLTS — •R. Beyer, H. Burghardt, E. Thomas, R. Reich, T. Ge"sner, and D.R.T. Zahn
19:00 HL 22.13 Mikroskopische Untersuchungen zum Verständnis des Voidbildungsmechanismus am SiC/Si-Interface — •J. Jinschek, U. Kaiser, A. Fissel, K. Pfennighaus und Wo. Richter
19:15 HL 22.14 Einflu"s von Arsen auf die Ag/InP(001)-Grenzfl"ache — •K. Gebhardt, S. Sloboshanin, C. Pettenkofer, J.A. Schaefer, and T. Chassé
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