Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN II

HL 23.7: Vortrag

Dienstag, 24. März 1998, 17:30–17:45, H15

Adsorption von Cs auf GaN(0001): Elektronische Eigenschaften — •M. Eyckeler¹, T. U. Kampen², W. Mönch¹, R. Dimitrov³, O. Ambacher³ und M. Stutzmann³ — ¹Laboratorium für Festkörperphysik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg — ²Institut für Physik,TU Chemnitz — ³Walter Schottky Institut, TU München

Die Adsorption von Cs auf GaN(0001)-Oberflächen bei tiefen Temperaturen wurde mit XPS, AES, LEED, UPS und CPD untersucht. Eine Reinigung der Proben erfolgte durch eine naßchemischen Präparation mit Flußsäure und daran anschließendem Heizen im UHV in einem Ga-Atomstrahl. Den so gereinigten GaN(0001)-Oberflächen wurde Cs aus Dispensern angeboten. Bei tiefen Temperaturen wächst Cs lagenweise auf, was durch AES- und XPS-Messungen bestätigt wird. Die Ergebnisse aus CPD- und UPS-Messungen an den gereinigten Flächen zeigen die Existenz von Verarmungsrandschichten auf sowohl n- als auch p-dotierten Proben. Durch Cs-Angebote im Submonolagenbereich werden die Oberflächendonatoren und - akzeptoren der reinen Fläche durch Cs-induzierte Donatoren ersetzt. Zusätzlich besitzen die p-dotierten Oberflächen eine negative Elektronenaffinität. Hierzu wurden Photoemissions- und Feldemissionsmessungen für Photonenenergien im Bereich zwischen 1 eV und 6 eV durchgeführt.