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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: GaN II

Tuesday, March 24, 1998, 16:00–19:30, H15

16:00 HL 23.1 Exzitonische Rekombination in verspannten AlxGa1−xN Schichten — •G. Steude, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, A. Amano und I. Akasaki
16:15 HL 23.2 Optisches Quenchen der persistenten Photoleitung in n-typ GaN-Filmen — •Oliver Seifert, Olaf Kirfel, J"urgen Parisi, and Michèle T. Hirsch
16:30 HL 23.3 Surfactants und Diffusion auf GaN-Oberflächen — •T. Zywietz, J. Neugebauer und M. Scheffler
16:45 HL 23.4 Alternative Akzeptoren in GaN — •J. Neugebauer und Chris G. Van de Walle
17:00 HL 23.5 Bestimmung der chemischen Zusammensetzung und Verspannung von InGaN Filmen mittels HRXRD — •L. G"orgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, F. Scholz, and J. Off
17:15 HL 23.6 Realisierung von UV-Reflektoren und Filtern aus AlGaN Heterostrukturen — •H.P. Felsl, R. Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann und M. Albrecht
17:30 HL 23.7 Adsorption von Cs auf GaN(0001): Elektronische Eigenschaften — •M. Eyckeler, T. U. Kampen, W. Mönch, R. Dimitrov, O. Ambacher und M. Stutzmann
17:45 HL 23.8 Einfluß  unterschiedlicher Buffer bei der Epitaxie von GaInN — •A. Kniest, J. Off, F. Scholz, and O. Ambacher
18:00 HL 23.9 Schichteigenschaften von Ca- und C-dotiertem GaN — •U. Birkle, M. Fehrer, C. Fechtmann, S. Einfeldt, V. Kirchner und D. Hommel
18:15 HL 23.10 Untersuchungen zum Einfluß lokalisierter Zustände auf die optische Verstärkung in InGaN/GaN-Strukturen — •S. Heppel, A. Sohmer, J. Off, F. Scholz und A. Hangleiter
18:30 HL 23.11 Piezoelektrische Felder und Rekombination von Ladungsträgern in GaN/AlGaN-Quantenfilmen — •H. Kollmer, Jin Seo Im, J. Off, B. Kuhn, F. Scholz und A. Hangleiter
18:45 HL 23.12 Beobachtung des Ausheilens von GaN nach der Implantation des Übergangsmetalls 181Hf mit der PAC-Methode — •J. Bartels, P. Friedsam, D. Wruck, K. Freitag und R. Vianden
19:00 HL 23.13 Epitaxie von GaN auf Si-Substraten — •A. Strittmatter, A. Krost, D. Bimberg, J. Bläsing, Th. Hempel und J. Christen
19:15 HL 23.14 Gitterdynamische und dielektrische Eigenschaften von GaN und AlN: Besonderheiten der Druckabhängigkeit — •J.-M. Wagner und F. Bechstedt
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